인텔, 1나노 경쟁 신호탄…삼성과 기술격차 2년 벌린다 > 투자정보

[인텔. (로이터=연합뉴스)]

현지시간 18일 로이터통신에 따르면 인텔은 미국 오리건주 힐스보로 공장에 ASML의 '하이-NA EUV' 장비를 설치했다고 밝혔습니다. 

해당 장비는 대당 5천억 원에 달하는 최고가 반도체 장비로 '명품 EUV'로도 불립니다. 기존에 삼성과 TSMC 등이 보유한 장비보다 2배 이상 비싸고, 또 그만큼 뛰어난 성능을 가지고 있습니다. 현재 유일하게 인텔만이 해당 장비를 보유하고 있습니다. 

인텔은 "당초 기대보다 빠른 속도로 하이-NA EUV 장비를 안정화하고 있고, 생산라인에 본격적으로 투입하는 시기를 내년으로 앞당길 수 있게 됐다"며 1.4나노 반도체 공정부터 본격 활용될 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 

인텔은 지난해 업계 최초로 ASML로부터 해당 장비를 공급받았고, 이후 4개월간 기대 이상의 테스트 결과를 얻어낸 것으로 전해졌습니다. 

삼성전자는 오는 2027년쯤에나 하이-NA EUV를 도입할 예정인데, 내년 인텔이 본격 가동에 들어가면 2년이 뒤처지는 셈입니다. 하이-NA를 확보해 안정화하는데 시간이 필요하다는 점을 감안하면, 전문가들은 2~3년의 격차가 발생할 수도 있다는 전망을 내놓고 있습니다. 

파운드리 사업을 강화하고 있는 인텔은 EUV 장비를 바탕으로 외부 고객사 확보에 적극 나서고 있습니다. 2022년부터 현재까지 미국 오하이오, 독일 마그데부르크, 아일랜드 레익슬립 등 신규 반도체 생산 시설과 미국 애리조나주 챈들러 소재 생산시설 확충 등에 약 930억 달러(약 123조 6천528억 원)를 투입했습니다. 또 1.8나노급 '인텔 18A' 공정에서는 이미 5개 고객사를 확보하고 잔고 수주 물량이 150억 달러를 넘어선 것으로 전해졌습니다.